Diodes推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品

Diodes公司(Diodes Incorporated)推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6.0V 基纳二极管及开关二极管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的规格供应,比采用DFN1006-2封装的同类产品节省70%的印刷电路板空间,并降低40%的离板高度。
  X3-DFN0603-2封装可满足平板电脑、手机等轻巧便携式产品对组件微型化日益增长的需求。此外,该封装还具备高效散热设计,可达到250mW的功率耗散,亦可改善电气性能,并能通过减少引线电感来提升效率。
  Diodes已率先推出包含七款采用微型封装的低漏电基纳二极管系列,它们适用于电压参考、电压调整、过压保护及受电压限制的应用。GDZ基纳二极管可提供由5.1V至8.2V的额定电压(Nominal Voltage) ,而仅有±5% 的电压误差。
  与此同时,Diodes 还推出了两款额定电压为85V的低电容(CT≤3pF) 微型封装开关二极管。1SS361LP3具有快速开关(tRR≤4ns) 的性能特点,而BSA116LP3的低漏电电流(IR≤10nA) 则有助延长电池寿命。